学霸有海克斯，这科技树能不歪？ - 第58章 命运的摇头

    “东西都放这儿了，不用帮忙吗？”赵宇將材料放在了一旁，问著正调试著设备的李观。
    “谢谢师兄，你忙你的就行。”李观专注地看著仪器上的数字，其实他是在最后一遍对照脑中的资料整理著实验步骤。
    “那我就先过去了。”
    赵宇说完就出了实验室。
    其实实验室的这些器材基本上每次使用都要排队，大家做一次实验最少也要分成两次来。
    但正好今天老包过来开组会的时候，强调了让大家整理数据，调整实验步骤。所有人这会儿基本都在办公区整理数据写报告，这就方便了李观。
    “温度750c，比例十比一。”
    李观將材料按比例投放，操作cvd开始升温至反应温度。
    大约四十分钟以后，丝毫没有感觉到疲惫的李观，双眼紧盯著窗口採集信號。
    “曲线比对一致，资料中显示的成核期应该就在现在。”
    李观手指悬停在停止按钮上，大约等待了三分钟的时间，他立即按下了停止键。
    他鬆了一口气，虽然还没有看到实验结果如何，但在它冷却的期间自己却是可以放鬆下了，无论成功与否，已经不能更改了。
    “活跃状態”虽然带给他充沛的精力，但心理上和精神上的压力还是只能自己承担。
    单晶mos?在降温过程中需要极其缓慢，否则不到1nm厚度的材料极易开裂或者脱落，一旦如此就只能重头再来。
    而这个时间少说也要一个小时，李观正好趁这个时间出去透透气。从进来到现在也將近两个小时了，虽然室內温度比较低没怎么出汗，但穿个无尘服也实在不怎么舒服。
    “做完了？结果怎么样？”
    赵宇见李观换衣服出来上前问道。
    虽然马上到晚上九点了，但实验室还是有大半的人没有走。听见赵宇的声音，有几人的目光朝这里看了过来。
    “还行吧，正在冷却，一会儿才能知道。”
    李观笑了笑，没有说更多的內容。在座的没有人知道李观正在用cvd生成单晶薄膜，都以为李观还在做之前的沉积硅片。
    要是让他们发现李观的实验內容，怕是所有人都要立马起立。
    鉬原子和硫原子在炉子內高温活化，再在衬底的缺陷处结合成核。有了核后续的活化原子不再无序，而是在压力下纷纷沿著晶核边缘有序排列形成完美的六边形薄片，就如冬日窗户上结的薄霜。
    这与多晶硅沉积的实验难度根本就不在一个层级，这是肉眼难以观察的原子层级的微观实验。
    “顺利就行，我们做实验就是要有耐心，你看我们实验室里谁没有做废过材料。失败再站起来，走错路就重走，迷茫了就歇歇脚重新出发。只要不灰心，命运总会在不经意间找上你。”
    还没走的向飞鹏听到这话，有些无奈地撇了撇嘴。大师兄哪都好，就是有点老妈子了。平时老包不在的时候，都是他在解答开导其他师兄弟。久而久之，就这样了，鸡汤隨时掛在嘴边。
    可现在站在那儿的那位做出的硅片，迁移率可是还要超过老包的，这是他下午吃完饭回来碰见老包后专门问的。
    他还嘲笑了老包两句，不出所料被制裁了。给他下了封口令。
    命运怕是见了这位都得羞愧难当，哭著说自己没用。
    “你自己把握好分寸，別逼自己太紧。”
    赵宇见李观一待实验室就是一天，还是没忍住多嘴了几句，无尘服穿著有多难受他们最清楚。
    “谢谢师兄，我记住了。”
    李观认真地点了点头，他能感受到对方话语里真切的关心。
    九点出头的时候大多数的人都离开了实验室，就剩寥寥几人一脸愁容的看著实验数据。
    李观看了眼时间，再次穿戴妥当进了洁净区。
    “他怎么又进去了？”
    “谁知道？实验没做完？”
    “有点太卷了吧。”
    “听老向说他下午做的实验数据，比老包之前最高的那次还要好。”
    “真的假的？”
    “我也听说了，说是迁移率直接干到300了，还是老包亲自检测的数据。”
    “这么嚇人？哪儿来的大神啊？清北的？科院没听说过这號啊？”
    洁净室里的李观根本听不到外面大家的议论，听到也只会一笑而过，当下最重要的是观察二硫化鉬单晶薄膜是否製备成功。
    “真成了！”
    从显微镜中看到薄膜的时候李观有些开心，他在做之前並不能保证百分百的成功率，甚至只有一半一半的把握。
    一半成，一半重来。
    毕竟是完全不同的技术路线，尤其是只要单晶而不堆叠，这非常考验他的技术。
    这下成了，他的心也放下了一半。
    “接下来就该静电转印了。”
    他启动静电印章，静电力瞬间捕获了这片单晶薄膜，他缓缓地將其转移至新的sio?衬底，全程没有任何的污染，毕竟纳米层级有一丝的沾染都只有失败的结局。
    “接下来就是最为困难的一步了。”
    如果说前面是五五开，那这个步骤就只有三七开了，李观做好了失败的准备。不行就凌晨出去跑三公里，强制重启新一天，连夜重开。
    他將衬片转移进了ald腔內。
    “通氮吹扫，温度升至150°c。”
    李观有些紧张地默念著，按下了启动键。
    腔內温度稳定后，三甲基铝脉衝注入，分子在薄膜表面吸附，与之反应形成了单层al–ch?，多余的被氮气吹走。
    接著水蒸气脉衝注入，水解了残留物，在薄膜表面生成了al?o?。
    这样循环一次仅能生长0.11nm，而需要3nm厚度就需要循环30次，要保证吸附均匀，一次不能出错。否则后续就会像被搭歪了的积木一般，前功尽弃。
    “稳住。”
    李观心中默念，设定了30次循环。
    监控屏幕上，显示著材料质量在逐步增加。半个小时后，沉积完成。
    “好像是成了？”
    一直在一旁观察的李观极为紧张。比马上要五杀了，对方最后一人也就丝血了，但身旁却突然亮起了两道闪现的亮光来的还要紧张。
    他有些紧张地看著显微镜下的画面，平整，均匀，无杂质。
    “成了！真成了！”
    “我必须立马开始光刻！”